Rusly, Tri Andi (2017) Studi Optimasi Pembentukan Pola Pada Qcm Dengan Teknik Etsa Basah Menggunakan Masking Sncl2.2h2o. Magister thesis, Universitas Brawijaya.
Abstract
Telah dilakukan studi penelitian optimasi pembentukan pola pada QCM dengan teknik etsa basah menggunakan masking SnCl2.2h2O. Pembentukan profil pada QCM adalah proses modifikasi sensor QCM untuk meningkatkan fungsionalisasi material, dengan menggunakan teknik etsa basah untuk pengikisan secara kimiawi pada permukaan material. Pada penelitian ini telah dikembangkan metode etsa basah dengan mengoptimasi waktu etsa terhadap pembuatan profil pada QCM. Material masking menggunakan senyawa SnCl2H2O yang di deposisi dengan teknik Spray Coating. Larutan yang digunakan untuk proses etsa basah yaitu KOH dan HF dengan variasi waktu etsa 30-90 menit. Untuk melihat permukaan profil etsa digunakan alat Top Map Measurement / TMS 1200. Hasil dari optimasi waktu etsa dari tiga varian waktu didapati hasil terbaik pada waktu etsa 60 menit dari tiap-tiap larutan etsa KOH dan HF dengan laju etsa dan nilai etsa yang sama dari tiap-tiap larutan yang digunakan yaitu laju etsa 4,56 μm dan kedalaman etsa 4,56μm untuk larutan etsa KOH dan nilai kedalaman etsa 4,43μm, laju etsa 4,43 μm /jam untuk larutan etsa HF. Penurunan laju etsa terjadi seiring dengan bertambahnya waktu disebabkan oleh adanya produk reaktif dari larutan etsa yang mengalami adsorbsi menjadi gas yaitu SiF4 pada larutan etsa HF dan produk reaktif yang mengalami adsorbsi dari larutan KOH adalah K2SiO3 yang berubah menjadi gel/kerak yang menyebabkan zat reaktif dari masing-masing larutan etsa menjadi melemah seiring bertambahnya waktu etsa.
English Abstract
Profile forming QCM sensor modification for functionalization material upgrading was studied, with using wet etching technique to removes the surface of the material. In this research, wet etching method has been developed by optimizing etch time on profiling of QCM. The masking process uses SnCl2H2O compounds which are deposition with Spray coating technique. The solution used for the wet etching process is KOH and HF with time range 30-90 minute etching time variation. The results of the etching time optimization of the three time variants obtained by the best results at 60 minute etching time of each KOH and HF. The etching values of KOH is 4,56 μm/h and Depth of Etch area is 4,56 μm and etching values of HF is 4,43 μm/h and depth of Etch area is 4,43 μm. The result show the decreasing etch rate occurs with increasing time due to the reactive product of the etching solution which adsorbs to gas SiF4 in the HF etching solution and the adsorbent reactive product from the KOH solution is K2SiO3 which turns into a gel / crust which causes the substance The reactivity of each etching solution becomes weakened as the etch time increases.
| Item Type: | Thesis (Magister) |
|---|---|
| Identification Number: | TES/681.2/RUS/s/2017/041709077 |
| Uncontrolled Keywords: | QUARTZ CRYSTAL MICROBALANCES, BIOSENSORS, ETEHING |
| Subjects: | 600 Technology (Applied sciences) > 681 Precision instruments and other devices > 681.2 Testing, measuring, sensing instruments |
| Divisions: | S2/S3 > Magister Fisika, Fakultas MIPA |
| Depositing User: | Nur Cholis |
| Date Deposited: | 10 Nov 2017 08:06 |
| Last Modified: | 30 Nov 2021 00:44 |
| URI: | http://repository.ub.ac.id/id/eprint/5277 |
Preview |
Text
BAB V.pdf Download (921kB) | Preview |
Preview |
Text
BAB III.pdf Download (151kB) | Preview |
Preview |
Text
BAB IV.pdf Download (191kB) | Preview |
Preview |
Text
BAGIAN DEPAN.pdf Download (234kB) | Preview |
Preview |
Text
BAB VI.pdf Download (95kB) | Preview |
Preview |
Text
DAFTAR PUSTAKA.pdf Download (119kB) | Preview |
Preview |
Text
BAB I.pdf Download (129kB) | Preview |
Preview |
Text
BAB II.pdf Download (351kB) | Preview |
Actions (login required)
 |
View Item |