Perancangan IC Filter Highpass Butterwoth Orde Delapan dengan Menggunakan Teknologi CMOS

Sari, AnggrainiPuspita (2012) Perancangan IC Filter Highpass Butterwoth Orde Delapan dengan Menggunakan Teknologi CMOS. Magister thesis, Universitas Brawijaya.

Abstract

Pada perancangan penelitian ini dipilih desain IC filter highpass Butterworth orde delapan menggunakan teknologi CMOS ( Complementary Metal-Oxide Semiconductor ). Hal ini disebabkan karena CMOS memiliki keunggulan pada disipasi daya rendah dan ukurannya yang sangat kecil. Perancangan ini bertujuan untuk menganalisis kinerja, kualitas dan keandalan rangkaian Filter Highpass Butterworth Orde Delapan. Metode yang digunakan untuk mendapatkan pemecahan masalah adalah analisis dengan mengacu pada literatur dan simulasi dengan menggunakan program Pspice untuk menguji spesifikasi rangkaian . P embuatan gambar IC menggunakan software DSCH dan layout rangkaian terintegrasi menggunakan program Microwind . Berdasarkan hasil pengujian didapatkan % kesalahan dengan hasil perhitungan dibawah 4,34% untuk parameter penguatan tegangan, frekuensi saat kemiringan -40 dB dan sudut fasa pada filter highpass orde dua. Hasil perancangan ini memiliki keunggulan pada besarnya disipasi daya rendah walaupun diterapkan pada filter highpass orde tinggi (orde delapan)sebesar 9,13mW dibandingkan dengan IC dipasaran filter highpass orde dua (GH580). Luas layout rangkaian adalah 1110µm x 385µm.

English Abstract

research use technology CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor) for Design of eighth order butterworth highpass filter. This is caused CMOS have excellence low power dissipation and small size. se research aims to know performance, quality and reliability eighth order butterworth highpass filter circuit. method used to problem solving, analysis with literature and simulation use pspice program for exam specification of circuit. To make IC picture using DSCH software and layout circuit using Microwind program. From examination result got % mistake with calculation result below 4,34% for gain voltage parameter, frequency -40 dB and phase shift second order highpass filter. result of this circuit have low power dissipation although applied to n-order highpass filter (eighth order) equal 9,13mW better than generality IC second order highpass filter (GH580). Wide of layout circuit is 1110 µ m x 385 µ m.

Item Type: Thesis (Magister)
Identification Number: TES/621.395/SAR/p/041200052
Subjects: 600 Technology (Applied sciences) > 621 Applied physics > 621.3 Electrical, magnetic, optical, communications, computer engineering; electronics, lighting
Divisions: S2/S3 > Magister Teknik Elektro, Fakultas Teknik
Depositing User: Endro Setyobudi
Date Deposited: 16 Apr 2012 16:05
Last Modified: 16 Apr 2012 16:05
URI: http://repository.ub.ac.id/id/eprint/158698
Full text not available from this repository.

Actions (login required)

View Item View Item