Budi, AgungSetia (2012) Flipped Voltage Follower Circuits Using Backgate-Driven MOSFETs. Magister thesis, Universitas Brawijaya.
Abstract
Dalam Master ini SIS, sirkuit baru dari pengikut tegangan terbuka yang disebut pengikut tegangan berbalik yang digerakkan oleh Backgate disajikan. Pengikut tegangan konvensional yang sangat sederhana dan beban beban berat memiliki dua kekurangan. Rentang input sempit dan tegangan offset. Mantan masalah diselesaikan dengan menambahkan dua MOSFET dalam jalur penghubung dioda dan masalah yang terakhir diselesaikan dengan menggunakan Deplesi MOSFET atau FG-MOSFET. Tidak pernah kurang, dalam hal ini adalah tidak ada proses fabrikasi biasa untuk menipis MOSFET dan membutuhkan area besar dalam menggunakan FG-MOSFET. Oleh karena itu, pengikut tegangan baru ini sulit diwujudkan. Dalam Master ini SIS, masalah baru ini diselesaikan dengan mengganti Deplesi MOSFET atau FG-MOSFET dengan MOSFET yang digerakkan oleh Backgate. Dalam master ini SIS, dua skema pengikut tegangan berbalik yang digerakkan oleh backgate diusulkan. Sirkuit disimulasikan dalam proses CMOS 2,0 μm menggunakan HSPICE. Hasil simulasi menunjukkan bahwa rentang input 1 Sirkuit yang diusulkan adalah 1.0612V, -3dB Bandwidth adalah 4.1768 MHz, total distorsi harmonik (THD) pada 100 kHz adalah 0,352476% dan konsumsi daya adalah 31,83 μW. Untuk mengurangi jumlah transistor dalam sirkuit yang diusulkan 1, 2 ND diusulkan. Rentang input sirkuit adalah 1,0477V, -3dB Bandwidth adalah 11.215 MHz, total distorsi harmonik (THD) pada 100 kHz adalah 0,423412% dan konsumsi daya adalah 31,34 μW.
English Abstract
In this master sis, new circuits of flipped voltage follower called backgate-driven flipped voltage follower were presented. conventional voltage follower which was very simple and heavy load drivability had two disadvantages; narrow input range and offset voltage. former problem was solved by adding two MOSFETs in diode-connecting path and latter problem was solved by using depletion MOSFETs or FG-MOSFETs. Never less, in this case re was no ordinary fabrication process for depletion MOSFETs and needed large area in using FG-MOSFETs. refore, this new voltage follower was difficult to be realized. In this master sis, this new problem was solved by replacing depletion MOSFETs or FG-MOSFETs with backgate-driven MOSFETs. In this master sis, two schemes of backgate-driven flipped voltage follower were proposed. circuits were simulated in a 2.0 μm CMOS process using HSPICE. Simulation results showed that input range of 1 st proposed circuit was 1.0612V, -3dB bandwidth was 4.1768 MHz, total harmonic distortion (THD) at 100 kHz was 0.352476 % and power consumption was 31.83 μW. To decrease number of transistors in 1 st proposed circuit, 2 nd circuit was proposed. input range of circuit was 1.0477V, -3dB bandwidth was 11.215 MHz, total harmonic distortion (THD) at 100 kHz was 0.423412% and power consumption was 31.34 μW.
| Item Type: | Thesis (Magister) |
|---|---|
| Identification Number: | TES/621.381 5/BUD/f/041300148 |
| Subjects: | 600 Technology (Applied sciences) > 621 Applied physics > 621.3 Electrical, magnetic, optical, communications, computer engineering; electronics, lighting |
| Divisions: | S2/S3 > Magister Teknik Elektro, Fakultas Teknik |
| Depositing User: | Endro Setyobudi |
| Date Deposited: | 18 Oct 2013 09:13 |
| Last Modified: | 18 Oct 2013 09:13 |
| URI: | http://repository.ub.ac.id/id/eprint/158669 |
Actions (login required)
 |
View Item |