Permana, AntoniusPrismaJalu (2015) Desain Dan Rancang Bangun Sistem Reaktor Plasma Dan Studi Pengaruh Laju Alir Dan Waktu Etching Terhadap Morfologi Permukaan Kristal Sio2 Dengan Menggunakan Gas Ch2fcf3. Magister thesis, Universitas Brawijaya.
Abstract
Telah dilakukan penelitian pengaruh laju alir gas pada proses plasma etching di atas permukaan kristal SiO2. Proses plasma etching SiO2 dilakukan dengan menggunakan reaktor plasma model capacitively coupled plasma (CCP). Plasma dibangkitkan dengan daya 100 W menggunakan generator AC berfrekuensi rendah dengan menggunakan gas CH2FCF3. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mempelajari pengaruh dari perubahan aliran gas terhadap laju etching pada permukaan SiO2. Laju alir yang digunakan pada rentang 20 – 40 mL/min untuk waktu proses 60 – 180 menit di mana parameter lainnya dibuat tetap. Profil permukaan SiO2 yang teretching dianalisa menggunakan white-light profilometer (Topography Measurement System (TMS 1200 Micro Lab)). Hasil penelitian menunjukkan peningkatan laju alir mengakibatkan penurunan laju etching pada permukaan SiO2. Hal ini diakibatkan peningkatan tekanan reaktor yang menandakan peningkatan jumlah partikel. Peningkatan lama proses juga mempengaruhi laju etching dimana ketika proses diperpanjang, laju etching mengalami penurunan akibat terjadi penumpukan atom C di atas pemukaan SiO2. Disamping itu, penumpukan atom C di atas permukaan SiO2 juga mengakibatkan penurunan kekasaran pada permukaan SiO2. Semakin tinggi laju alir gas yang digunakan, maka penurunan kekasaran yang terjadi juga cenderung semakin tinggi.
Item Type: | Thesis (Magister) |
---|---|
Identification Number: | TES/548.8/PER/d/2016/041606112 |
Subjects: | 500 Natural sciences and mathematics > 548 Crystallography > 548.8 Physical and structural crystallography |
Divisions: | S2/S3 > Magister Fisika, Fakultas MIPA |
Depositing User: | Nur Cholis |
Date Deposited: | 07 Feb 2017 09:10 |
Last Modified: | 07 Feb 2017 09:10 |
URI: | http://repository.ub.ac.id/id/eprint/157571 |
Actions (login required)
View Item |