Habibi, MSofyan (2016) Studi Pengaruh Tekanan Dalam Reaktor Plasma Terhadap Laju Etching Sio2 Sebagai Sensor Qcm Dengan Metode Plasma Etching Menggunakan Gas Ch2fcf3. Sarjana thesis, Universitas Brawijaya.
Abstract
Proses etching (pengikisan) bahan SiO2 dapat dilakukan dengan metode plasma etching menggunakan gas CH2FCF3. Plasma dibangkitkan dengan daya sebesar 100 Watt dengan melakukan variasi tekanan dalam reaktor pada rentang nilai 0,8 Torr hingga 1,4 Torr, sedangkan parameter lain seperti laju alir gas, suhu dan waktu etching dibuat tetap. Sebelum perlakuan etching dilakukan, bahan diberi masking, yaitu selotip kapton, untuk melindungi sebagian daerah permukaan agar tidak terkikis, sehingga akan tampak perbedaan morfologi permukaan bahan sebelum dan sesudah perlakuan plasma etching pada daerah batas antara daerah etching dan daerah masking. Tujuan dari penelitian ini adalah untuk mengetahui pengaruh tekanan dalam reaktor plasma terhadap laju etching dan koefisien anisotropi. Profil permukaan bahan yang telah diberi perlakuan etching diobservasi dengan menggunakan TMS (topography measurement system) untuk menganalisa morfologi permukaan bahan. Berdasarkan hasil yang diperoleh, laju etching tertinggi adalah 8,95 nm/menit yang terjadi pada tekanan 1 Torr. Tekanan juga berpengaruh pada koefisien anisotropi. Berdasarkan hasil penelitian ini, didapatkan kesimpulan bahwa koefisien anisotropi berbanding terbalik dengan tekanan dalam reaktor, dengan hasil perhitungan koefisien anisotropi tertinggi adalah 3,33x10-2 yang terjadi pada tekanan 0,8 Torr.
English Abstract
Etching process (erosion) on SiO2 can be made by plasma etching method using CH2FCF3 gas. Plasma generated with 100 Watt power and varied pressure in chamber reactor at range 0.8 Torr to 1.4 Torr, while the other parameters such as flow rate, temperature and duration of etching was fixed. Before etching process, a several area on SiO2 surface was masked with tape kapton to protect surface from erosion. This surface region called masking area, while the unprotect surface called etching area. The purpose of this research is to determine the effect of pressure in plasma chamber on etching rate and anisotropy coefficient. Surface profile of SiO2 that have been treated by etching process is characterized by using TMS (topography measurement system) to analize the morphology of the surface. Based on the result obtained, the highest etching rate occured at a pressure of 1 Torr, that is 8.95 nm/min. The pressure also affects the anisotropy coefficient. Based on the result, it was concluded that the anisotropy coefficient is inversely proportional to the pressure, that is the highest anisotropy coefficient from the calculation result is found about 3.33x10-2 that occurred at a pressure of 0.8 Torr.
| Item Type: | Thesis (Sarjana) |
|---|---|
| Identification Number: | SKR/MIPA/2016/496/051610434 |
| Subjects: | 500 Natural sciences and mathematics > 530 Physics |
| Divisions: | Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam > Fisika |
| Depositing User: | Kustati |
| Date Deposited: | 28 Oct 2016 15:31 |
| Last Modified: | 28 Oct 2016 15:31 |
| URI: | http://repository.ub.ac.id/id/eprint/155037 |
Actions (login required)
 |
View Item |