Pradipta, Doni and Prof. Dr. Ir. Rini Nur Hasanah, S.T., M.Sc., IPU.,ASEAN Eng.,APEC Eng. and Dr. Ir. Tri Nurwati, S.T., M.T. (2024) Gate Driver Untuk Susunan Seri Sic-Mosfet Menggunakan Pengendali Proporsional-Integral (Pi). Magister thesis, Universitas Brawijaya.
Abstract
Koneksi serial SiC-MOSFET dapat digunakan untuk mendapatkan tegangan yang lebih tinggi daripada tegangan tiap perangkat SiC-MOSFET, namun dapat muncul permasalahan berupa ketidakseimbangan tegangan drain-source di antara perangkat-perangkat yang tersambung secara seri tersebut. Permasalahan tersebut dapat berasal dari kapasitansi parasitik yang timbul pada saat proses fabrikasi SiC-MOSFET. Penelitian ini membahas upaya untuk menyeimbangkan tegangan perangkat SiC-MOSFET yang terhubung secara seri dengan menggunakan rangkaian RC snubber dan active gate driver. Rangkaian RC snubber berfungsi untuk meredam lonjakan tegangan pada proses switching, sedangkan active gate driver berfungsi untuk mengontrol tegangan drain-source VDS. Kombinasi kedua rangkaian ini bertujuan untuk mengurangi beda tegangan drain-source VDS dari kedua SiC-MOSFET yang dihubungkan secara seri. Rangkaian RC Snubber digunakan pada kedua SiC-MOSFET sedangkan active gate driver digunakan pada salah satu SiC-MOSFET. Rangkaian active gate driver dilengkapi dengan kontroler proporsional-integral (PI) yang menggunakan komparator PWM sebagai pengatur kondisi off pada gate SiC-MOSFET. Penelitian dilakukan menggunakan metode simulasi dengan memanfaatkan piranti lunak LTSpice XVII.
English Abstract
Serial connected of silicon carbide (SiC) MOSFETs can be used to obtain a voltage that is higher than the voltage of each SiC-MOSFET device, but problems can arise in the form of drainsource voltage imbalance between devices connected in series. This problem can originate from parasitic capacitance that arises during the SiC-MOSFET fabrication process. This research discusses efforts to balance the voltage of SiC-MOSFET devices connected in series using an RC snubber and active gate driver circuit. The RC snubber circuit functions to reduce voltage spikes during the switching process, while the active gate driver functions to control the VDS drainsource voltage. The combination of these two circuits aims to reduce the drain-source VDS voltage difference from the two SiC-MOSFETs connected in series. The RC Snubber circuit is used on both SiC-MOSFETs while the active gate driver is used on one of the SiC-MOSFETs. The active gate driver circuit is equipped with a proportional-integral (PI) controller that uses a PWM comparator as an off condition regulator on the SiC-MOSFET gate. The research was carried out using a simulation method using LTSpice XVII software.
| Item Type: | Thesis (Magister) |
|---|---|
| Identification Number: | 0424070234 |
| Uncontrolled Keywords: | active gate driver, pengendali PI, PWM, RC snubber, susunan seri perangkat, SiCMOSFET |
| Divisions: | S2/S3 > Doktor Teknik Mesin, Fakultas Teknik |
| Depositing User: | S Sucipto |
| Date Deposited: | 22 Oct 2024 01:51 |
| Last Modified: | 22 Oct 2024 01:51 |
| URI: | http://repository.ub.ac.id/id/eprint/231883 |
![[thumbnail of DALAM MASA EMBARGO]](http://repository.ub.ac.id/style/images/fileicons/text.png) |
Text (DALAM MASA EMBARGO)
Doni Pradipta.pdf Restricted to Registered users only Download (3MB) |
Actions (login required)
 |
View Item |